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因此，如果要防止蒸發(fā)粒子的大量散射，在真空蒸發(fā)鍍膜設(shè)備中，真空鍍膜室的起始真空度必須高于10-2Pa。由于殘余氣體在蒸鍍過程中對膜層的影響很大，因此分析真空室內(nèi)殘余氣體的來源，借以消除殘余氣體對薄膜質(zhì)量的影響是重要的。真空室中殘余氣體分子的來源主要是真空鍍膜室內(nèi)表面上的解吸放氣、蒸發(fā)源釋放的氣體、抽氣系統(tǒng)的返流以及設(shè)備的漏氣等原因所造成的。若鍍膜設(shè)備的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及制造良好，則真空抽氣系統(tǒng)的返流及設(shè)備的漏氣并不會(huì)造成嚴(yán)重的影響。 次數(shù)用完API KEY 超過次數(shù)限制

因此需要合理設(shè)計(jì)鍍膜設(shè)備的抽氣系統(tǒng)，保證膜材蒸汽分子到達(dá)基片表面的速率高于殘余氣體分子到達(dá)的速率，以減少殘余氣體分子對膜層的撞擊和污染，提高膜層的純度。此外，在10-4Pa時(shí)真空室內(nèi)殘余氣體的主要組分為水蒸氣(約占90%以上)，水氣與金屬膜層或蒸發(fā)源均會(huì)發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成氧化物而釋放出氫氣。因此，為了減少殘余氣體中的水分，可以提高真空室內(nèi)的溫度，使水分解，也是提高膜層質(zhì)量的一種有效辦法。還應(yīng)注意蒸發(fā)源在高溫下的放氣。在蒸發(fā)源通電加熱之前，可先用擋板擋住基片，然后對膜材加熱去氣。 次數(shù)用完API KEY 超過次數(shù)限制

隨著高科技及新興工業(yè)發(fā)展，物理氣相沉積技術(shù)出現(xiàn)了不少新的先進(jìn)的亮點(diǎn)，如多弧離子鍍與磁控濺射兼容技術(shù)，大型矩形長弧靶和濺射靶，非平衡磁控濺射靶，孿生靶技術(shù)，帶狀泡沫多弧沉積卷繞鍍層技術(shù)，條狀纖維織物卷繞鍍層技術(shù)等，使用的鍍層成套設(shè)備，向計(jì)算機(jī)全自動(dòng)，大型化工業(yè)規(guī)模方向發(fā)展。第二節(jié)真空蒸鍍(一)真空蒸鍍原理(1)真空蒸鍍是在真空條件下，將鍍料加熱并蒸發(fā)，使大量的原子、分子氣化并離開液體鍍料或離開固體鍍料表面(升華)。 次數(shù)用完API KEY 超過次數(shù)限制