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將納米氮化鈦添加到TiN/Al2O3復(fù)相納米陶瓷中，通過各種方法（如機械混合法）等將其混合均勻，得到的這種含有納米氮化鈦顆粒的陶瓷材料內(nèi)部便形成導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)。這種材料可作為電子元件應(yīng)用于半導(dǎo)體工業(yè)中。

（6）在鎂碳磚中添加一定量的TiN，能夠使鎂碳磚的抗渣侵蝕性得到很大程度的提高。

（7）氮化鈦是一種優(yōu)良的結(jié)構(gòu)材料，可用于噴汽推進器以及火箭等。在軸承和密封環(huán)領(lǐng)域也多用氮化鈦合金，凸顯了氮化鈦優(yōu)異的應(yīng)用效果。 次數(shù)用完API KEY 超過次數(shù)限制

測試方法：連續(xù)對鍍膜室抽氣24h這一時間段之間，測定出過程中的壓力zui低值，則定為該設(shè)備的極限壓力。如果壓力變化值在0.5h內(nèi)沒有超過5％的波動，則取zui高測量表讀數(shù)值作為極限壓力值。二、鍍膜室抽氣時間的測定1、試驗條件：與上述極限壓力測定的試驗條件的（1）~（4）相同。2、測試方法：在連續(xù)抽氣的前提之下，待至鍍膜室內(nèi)達(dá)到極限壓力，再將鍍膜室打開15min，然后將鍍膜室關(guān)閉，再次將鍍膜室抽氣至規(guī)定的壓力標(biāo)準(zhǔn)，此間這段所需的時間，就是該設(shè)備的抽氣時間。 次數(shù)用完API KEY 超過次數(shù)限制

真空鍍膜室壁上單分子層所吸附的分子數(shù)Ns與氣相中分子數(shù)N的比值近似值。通常在常用的高真空系統(tǒng)中，其內(nèi)表面上所吸附的單層分子數(shù)，遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過氣相中的分子數(shù)。因此，除了蒸發(fā)源在蒸鍍過程中所釋放的氣體外，在密封和抽氣系統(tǒng)性能均良好和清潔的真空系統(tǒng)中，若氣壓處于10-4Pa時，從真空室壁表面上解吸出來的氣體分子就是真空系統(tǒng)內(nèi)的主要氣體來源。真空下室壁單分子層所吸附的分子數(shù)與氣相分子數(shù)之比分子數(shù)與氣相分子數(shù)A-鍍膜室的內(nèi)表面積，cm2;V-鍍膜室的容積，cm3;ns-單分子層內(nèi)吸附分子數(shù)，個/cm2;n-氣相分子數(shù)，個/cm3 次數(shù)用完API KEY 超過次數(shù)限制