商丘金常來金屬制品有限公司

氮化鈦的結構及性能

TiN具有典型的NaCl型結構，屬面心立方點陣，面心立方的頂部是氮原子，鈦原子位于面心立方的(1/2,0,0)空間位置。TiN是非化學計量化合物，其穩(wěn)定的組成范圍為TiN0.6~TiN1.16，氮的含量可以在一定的范圍內(nèi)變化而不引起TiN結構的變化。TiN粉末一般呈黃褐色，超細TiN粉末呈黑色，而TiN晶體呈金黃色。TiN的晶格常數(shù)為a=4.23 nm，TiC的晶格常數(shù)為a=4.238 nm，TiO的晶格常數(shù)為a=4.15 nm，這三種物質(zhì)的晶格參數(shù)非常接近，所以TiN分子中的氮原子可以被氧、碳原子以任意比取代形成固溶體，氮化鈦的理化性質(zhì)由氮元素的含量來決定，當?shù)睾繙p少時，氮化鈦的晶格參數(shù)反而增大，硬度也會有顯微的增大，但氮化鈦的抗震性隨之降低。 次數(shù)用完API KEY 超過次數(shù)限制

在室溫(25℃)和氣體壓力為p(Pa)的條件下，殘余氣體分子的平均自由程為λ=6.65×10-1/pcm(2)由上式計算可知，在室溫下，p=10-2Pa時，λ=66.5cm，即一個分子在與其它分子發(fā)生兩次碰撞之間約飛行66.5cm。碰撞圖2是蒸發(fā)粒子在飛向基片途中發(fā)生碰撞的比例與氣體分子的實際路程對平均自由程之比值的曲線。從圖中可以看出，當λ=L時，有63%的蒸發(fā)分子會發(fā)生碰撞。如果平均自由程增加10倍，則散射的粒子數(shù)減少到9%，因此，蒸發(fā)粒子的平均自由程必須遠遠大于蒸距才能避免蒸發(fā)粒子在向基片遷移過程中與殘余氣體分子發(fā)生碰撞，從而有效地減少蒸發(fā)粒子的散射現(xiàn)象。目前常用的蒸發(fā)鍍膜機的蒸距均不大于50cm。 次數(shù)用完API KEY 超過次數(shù)限制

在信息存儲領域中薄膜材料作為信息記錄于存儲介質(zhì)，有其得天獨厚的優(yōu)勢：由于薄膜很薄，可以忽略渦流損耗；磁化反轉極為迅速；與膜面平行的雙穩(wěn)態(tài)狀態(tài)容易保持等。為了更精密地記錄與存儲信息，必然要采用鍍膜技術。13.在傳感器方面在傳感器中，多采用那些電氣性質(zhì)相對于物理量、化學量及其變化來說，極為敏感的半導體材料。此外，其中，大多數(shù)利用的是半導體的表面、界面的性質(zhì)，需要盡量增大其面積，且能工業(yè)化、低價格制作，因此，采用薄膜的情況很多。14.在集成電路制造中晶體管路中的保護層（SiO2、Si3N4）、電極管線（多晶硅、鋁、銅及其合金）等，多是采用CVD技術、PVCD技術、真空蒸發(fā)金屬技術、磁控濺射技術和射頻濺射技術。可見，氣相沉積是制備集成電路的核心技術之一。 次數(shù)用完API KEY 超過次數(shù)限制